Gravure polysilicium+oxyde diffusion source-drain 2 Transistors NMOS : 1 transistor canal court 6 µm 1 transistor canal long 18 µm
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?1928, invention du transistor à effet de champ par JE Lilienfeld Lithographie e-beam pas de masques physique mais un système de gravure par pixel
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Pour accommoder les deux types de transistors, une région spéciale appelée Gravure acide : Du matériel est enlevé de la tranche des parties non
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première photogravure, pour donner à la couche 32 la forme de colonnes 34 et de pavés Par ailleurs, selon l'invention le drain du transistor n'est pas
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transistor NPN dans une technologie bipolaire haute fré- quence Un tel procédé de fabrication regroupe l' une photogravure pour enlever l'oxyde LOCOS
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application de ce procédé à la fabrication d'un transistor © Le procédé selon l'invention consiste à dation du mélange gazeux, et la gravure chimique
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seconde photogravure, pour définir des lignes 46 40 chevauchant les appendices 38 et croisant les colonnes et définissant des transistors (d),
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